ar-net.ru 3. Слитки кремния D 100 мм - резка на пластины.
§ 81. Оператор прецизионной резки
6-й разряд
Характеристика работ. Ориентированная прецизионная резка заготовок и слитков полупроводниковых материалов диаметром свыше 100 мм на пластины на автоматизированном агрегате резки с программным управлением с разбросом по толщине +/- 10 мкм. Установка и настройка режущего инструмента, контроль за его исправностью. Регулировка агрегата и подналадка режущего инструмента в процессе работы. Составление и корректировка программ автоматической работы агрегата. Определение направления и величины ухода режущей кромки, правка режущего инструмента, снижение величины ухода режущей кромки.
Должен знать: конструкцию и основы работы оборудования с программным управлением; способы проверки и регулировки параметров работы обслуживаемого оборудования; методы контроля качества резки.
§ 82. Оператор прецизионной фотолитографии
2-й разряд
Характеристика работ. Подготовка пластин кремния, заготовок масок, ситалловых, керамических, металлических и стеклянных пластин с маскирующим слоем перед нанесением светочувствительного покрытия (обезжиривание и декапирование, промывка, сушка). Нанесение и сушка светочувствительного покрытия; контроль качества выполненной работы (оценка клина проявления, неровности края, замеры линейных размеров с помощью микроскопа МИИ-4). Сушка заготовок в термостате. Удаление светочувствительного покрытия в случае необходимости. Формирование партии пластин для обработки на автоматизированном оборудовании. Разбраковка изделий по параметру неплоскостности, по внешнему виду, по номеру фотолитографии, по типономиналу. Химическая очистка и мытье посуды. Приготовление хромовой смеси.
Должен знать: наименование и назначение важнейших частей и принцип действия обслуживаемого оборудования (центрифуга, ванна, сушильный шкаф); назначение и условия применения специальных приспособлений и приборов для контроля процесса; основные свойства фоторезистов; назначение и работу микроскопов; состав и основные свойства светочувствительных эмульсий, правила хранения и использования их; основные химические свойства применяемых материалов.
Примеры работ
1. Детали листовые декоративные из меди и медных сплавов - изготовление методом фотохимического травления.
2. Заготовки масок - обезжиривание, декапирование, промывание, сушка, нанесение светочувствительного слоя.
3. Заготовки печатных плат - зачистка, декапирование, промывание, сушка.
4. Заготовки пластин, прокладки, изготовленные методом фотохимфрезерования - обезжиривание, сушка.
5. Маски, пластины, фотошаблоны - промывание, сушка, нанесение светочувствительного слоя, задубливание фотослоя.
6. Микросхемы интегральные гибридные типа "Посол" - сушка и полимеризация фоторезиста.
7. Микросхемы пленочные и металлизированные фотошаблоны - изготовление фотохимическим методом.
8. Пластины полупроводниковые и диэлектрические, ферриты - обезжиривание, декапирование, промывание, сушка.
9. Подложки ситалловые - снятие фоточувствительного слоя.
10. Стекла 700x700x3 - очистка и обработка ацетоном, полив вручную гравировальной жидкостью.
§ 83. Оператор прецизионной фотолитографии
3-й разряд
Характеристика работ. Проведение фотолитографических операций по совмещению элементов рисунка топологии схемы на пластине с соответствующими элементами на фотошаблоне с точностью +/- 5 мкм на установках совмещения и экспонирования. Экспонирование, проявление и задубливание фотослоя, а также травление различных материалов (окиси кремния, металлов и многокомпонентных стекол, включая многослойные структуры из различных металлов) по заданным в технологии режимам. Контроль качества травления. Термообработка, отмывка фотошаблонов в процессе их эксплуатации. Приготовление растворов для проявления, травления. Фильтрация фоторезиста. Снятие фоторезиста в кислотах, органических растворителях. Защита поверхности пластин пассивирующей пленкой. Контроль качества клина, проявления и травления на микроскопах. Измерение вязкости фоторезиста.
Должен знать: назначение, устройство, правила и способы подналадки оборудования, приспособлений и инструмента (микроскопов, ультрафиолетовой и инфракрасной ламп, термостата, контактных термометров и вискозиметров); режимы проявления фотослоев; технологические приемы травления различных материалов (окись кремния, металлы и др.); подбор времени экспонирования и травления; основные свойства фоточувствительных эмульсий и их компонентов.
Примеры работ
1. Заготовки масок, ферритовые металлизированные пластины - получение копии изображения схемы (экспонирование, проявление, дубление, окрашивание, промывание и т. д.).
2. Маски биметаллические - изготовление методом фотохимического травления.
3. Микросхемы интегральные гибридные типа "Посол" - нанесение фоторезиста; проявление изображения; удаление фоторезиста.
4. Микротрансформаторы планарные - проведение последовательного ряда фотохимических операций.
5. Пластины - нанесение фоторезиста; ретушь фоторезиста в соляной кислоте.
6. Пластины кремния - нанесение, сушка, совмещение некритичных фотогравировок; экспонирование, проявление, задубливание фотослоя.
7. Платы печатные и пластины, изготовляемые методом фотохимфрезерования - проявление и удаление фоторезиста.
8. Пленочные схемы СВЧ - проведение цикла фотолитографических операций.
9. Подложки ситалловые - травление, экспонирование.
§ 84. Оператор прецизионной фотолитографии
4-й разряд
Характеристика работ. Проведение всего цикла фотолитографических операций с разными материалами на одном образце с точностью совмещения +/- 2 мкм. Травление многослойных структур (AL-MO-AL) и сложных стекол (ФСС, БСС). Подбор и корректировка режимов нанесения, экспонирования, проявления, травления в зависимости от применяемых материалов в пределах технологической документации. Отмывка фотошаблонов, нанесение, сушка фоторезиста, проявление, задубливание, травление на автоматических линиях. Определение толщины фоторезиста и глубины протравленных элементов с помощью профилографа, профилометра. Определение адгезии фоторезиста и плотности проколов с помощью соответствующих приборов. Замер линейных размеров элементов под микроскопом. Совмещение маски и фотошаблона по реперным модулям и элементам. Определение процента дефектных модулей на фотошаблоне в процессе эксплуатации. Ретушь копии схемы с помощью микроскопа. Аттестация геометрических размеров элементов на маске и пластине кремния с помощью микроскопов с точностью +/- 3 мкм, на фотошаблоне - с точностью +/- 0,2 мкм. Проведение процесса двухсторонней фотолитографии. Определение неисправностей в работе установок и автоматического оборудования и принятие мер к их устранению.
Должен знать: устройство, правила наладки и проверки на точность поддержания технологических режимов всех установок автоматов, входящих в технологическую линию фотолитографии; правила настройки микроскопов; способы приготовления и корректирования проявляющих и других растворов; последовательность технологического процесса изготовления изделий (транзистора, твердой схемы); причины изменения размеров элементов, неровности краев, недостаточной их резкости и методы их устранения; фотохимический процесс проявления фоточувствительных эмульсий; способы определения дефектов на эталонных и рабочих фотошаблонах; основы электротехники, оптики и фотохимии.
Примеры работ
1. Диоды, ВЧ-транзисторы, фотошаблоны с размерами элементов более или равными 10 мкм - проведение всего цикла фотолитографических операций.
2. Заготовки масок - электрохимическое никелирование.
3. Микротранзисторы и твердые схемы - проведение полного цикла фотохимических операций при изготовлении.
4. Микросхемы интегральные гибридные типа "Посол" - проведение процессов экспонирования с предварительным совмещением, травление.
5. Микросхемы - проведение полного цикла фотохимических операций при изготовлении.
6. Пластина - проведение полного цикла фотолитографических операций, защита фоторезистом; непланарная сторона пластины - защита.
7. Пластины, фотошаблоны после фотолитографии - контроль качества поверхности под микроскопом МБС.
8. Пластины ИС с размерами элементов более 10 мкм - контроль качества проявления, травления.
9. Платы печатные, микросхемы СВЧ - травление.
10. Подложки, подложки ситалловые, микросхемы СВЧ - нанесение фоторезиста с помощью центрифуги с контролем оборотов по графику; определение толщины слоя фоторезиста.
11. Поликремний - проведение полного цикла фотолитографии.